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[发明专利]图案特征的分析-CN201380037980.6有效
发明人：于兆宁;N·仓高;G·高兹纳 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B29C59/02 文献下载
摘要：这些实施例公开了用于电子固化反色调处理的方法，包括将抗蚀层沉积到图案化压印的抗蚀剂层上，该图案化压印的抗蚀剂层被制造到硬掩膜层上，该硬掩膜层被沉积到衬底上，在压印图案特征进入硬掩膜并进入衬底的蚀刻过程期间利用电子束剂量来固化抗蚀层以及利用分析过程来量化减少的图案特征布置漂移误差并量化所蚀刻的压印图案特征的增加的图案特征尺寸均匀性
图案特征分析

[发明专利]特征尺寸近似性图案-CN200910196429.1无效
发明人：武咏琴 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种特征尺寸近似性图案，所述特征尺寸近似性图案制作在光罩的切割道上，均匀分布在曝光单元范围内，用于控制曝光单元内特征尺寸的均匀性，所述特征尺寸近似性CD TP图案包括经过光学临近修正OPC的图案和没有经过OPC修正的图案。通过特征尺寸近似性图案显示出的更多、更完整的光罩上写出来的特征尺寸数据，控制曝光单元内特征尺寸的均匀性。
特征尺寸近似图案

[发明专利]图案间特征对应设备、其图案间特征对应方法及其程序-CN200880122901.0有效
发明人：黄雷 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：一种图案间特征对应设备(1)，用于即使在要比较的图案有畸变的情况下也以高精度来确定特征对应关系。该设备(1)包括：产生其中的特征点在图案中的位置彼此接近的邻近特征点组和将邻近特征点组的特征点之间的位置关系指示为特征点组位置的位置关系数值的装置(11)；比较所产生的位置关系数值以检测对应特征点组位置候选的装置(12)；比较对应特征点组位置候选的每个特征点组位置的特征点与邻近特征点组位置的特征点之间的位置关系数值，将对应邻近特征点添加到对应特征点组位置候选，并更新对应特征点组位置候选的装置(13)；检查更新后的对应特征点组位置候选的相关对应特征点候选以设置对应特征点组位置候选的相关对应特征点的装置(14)；以及检查对应特征点组位置候选以设置图案间对应特征点的装置(15)。
图案特征对应设备方法及其程序

[发明专利]形成图案化特征的方法-CN202210914706.3在审
发明人： Y.汤姆恰克 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：公开了形成图案化特征的方法和包括图案化特征的结构。示例性方法包括在结构的侧壁上选择性地形成表面能改性表面和/或在衬底的表面上形成表面能可调层。
形成图案特征方法

[发明专利]图案特征的识别方法-CN201910121149.8有效
发明人：黄靖雅;洪佐桦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种图案特征的识别方法，其识别结果应用于光学邻近效应校正，所述图案特征的识别方法包括提供多个具有参考图案特征的参考图像，再通过图像识别装置对参考图像进行识别与分类，并存储识别结果。然后，通过图像识别装置将具有实际图案特征的图像与存储的识别结果进行比对，以将具有实际图案特征的图像进行识别与分类。通过图像识别装置根据分类的结果来计算实际图案特征的角度特征值和/或距离特征值，以得到图案特征的识别结果。
图案特征识别方法

[发明专利]在衬底上图案化金属特征-CN202211483795.7在审
发明人： S·艾哈迈德;G·赫特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与图案化和金属化有关的装置、工艺和技术，以在衬底上产生具有小于26nm间距的金属特征。可以描述和/或要求保护其他实施例。
衬底图案金属特征

[发明专利]减少图案特征的临界尺寸-CN200480031325.0有效
发明人： S·S·康;S·李;W·－L·陈;E·A·赫德森;S·M·R·萨德贾迪;G·M·赵 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在一个层中设置一种特征。在所述层上形成光刻胶层。在所述光刻胶层上形成图案，以形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征，其中，所述光刻胶特征具有第一临界尺寸。在所述光刻胶特征的侧壁上淀积保形层，以减小所述光刻胶特征的临界尺寸。将各特征蚀刻到所述层中，其中所述层的特征具有比第一临界尺寸小的第二临界尺寸。
减少图案特征临界尺寸

[发明专利]将特征的重复图案写到基板-CN201180020203.1无效
发明人：道格拉斯·M·卡尔森 -专利权人：道格卡森联合公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G11B5/596 文献下载
摘要：用于将特征（106、160）的重复图案写到诸如数据存储介质等基板（102、142）的方法（200、240）和装置（140、260）。根据一些实施例，要写入基板的不同大小（162、164、166、182、184、186、188、190、222、224、226、228、230）的离散特征的多维图案被分割为多个邻接的区域（206、232、写系统（140、270）的写束被用于响应于所述唯一的补偿值集合将特征写到的基板，使得在至少一个区域中的具有相同大小的所有特性采用来自相关组（212、250）的相同的补偿值来写入。
特征重复图案写到基板

[发明专利]具有基于发射场图案的图案化表面特征的LED-CN201480035017.9有效
发明人： T.洛佩斯 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：发光元件的逸出表面包括特征（310），其包括具有基于来自发光元件的峰值光输出的方向的倾斜角度的斜坡表面（312,314）。为了最小化光到邻近特征中的重注入，邻近特征可以定位成避免具有直接面向彼此的表面。特征可以成形或定位成提供跨逸出表面的倾斜表面的伪随机分布，并且可以使用多个粗糙化过程。
具有基于发射场图案表面特征 led

[发明专利]有噪声经图案化特征的检验-CN202180043614.6在审
发明人：涛·骆;永·张 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：检测所述缺陷候选者包含识别所述样品的所述所产生图像中所包含的测试图像中的经图案化特征。检测所述缺陷候选者还包含：针对所述测试图像中位于所述经图案化特征内的至少一个像素，确定所述至少一个像素的特性与所述测试图像中位于所述至少一个像素的预定窗内的其它像素的所述特性之间的差。
噪声图案特征检验

[发明专利]用于处理图案特征的多重曝光处理-CN201580073031.2有效
发明人：崔斯坦·Y·马;莫林·K·彼特森;约翰·哈塔拉;卢多维克·葛特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的用于处理图案特征的多重曝光处理包含一种用于处理基板的方法。所述方法可包含在基板上提供图案特征，图案特征具有侧壁。方法可进一步包含在第一曝光将第一离子物质植入到图案特征内，第一离子物质具有第一植入深度；以及在第二曝光将第二离子物质植入到图案特征内，第二离子物质具有小于第一植入深度的第二植入深度。
用于处理图案特征多重曝光

[发明专利]用于形成细间距特征的光刻图案-CN201710595439.7有效
发明人：尚尼尔·K·辛;S·S·梅塔;许杰安·希恩;瑞义·P·斯瑞泛斯特法 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成细间距特征的光刻图案，揭示用于形成一芯片的互连结构的光刻图案的方法。一硬掩膜层形成于一介电层上。一牺牲层形成于该硬掩膜层上。
用于形成间距特征光刻图案

[发明专利]根据特征间距进行图案分解的方法-CN200710199970.9有效
发明人：朴正哲 -专利权人： ASML蒙片工具有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：公开了一种分解包含待印刷在晶片上的特征的目标图案的方法，包括步骤：(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核；(b)使用多个像素限定所述特征；(c)在多个像素的第一像素上设置所述核；(d将与所述多个像素中的指定像素有关的预存储值同步骤(d)中确定的该指定像素的所述像素值相加；(f)在所述多个像素中的另一像素上设置所述核，重复步骤(d)－(f)直至所述多个像素中的每个像素被处理；和(g)根据该指定像素的像素值确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置
根据特征间距进行图案分解方法

[发明专利]使用离子处理图案化特征的技术-CN201780016912.X在审
发明人：赛门·罗芙尔;戴辉雄;郎军;约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
表面特征离子衬底衬底平面特征位置特征形状反应性入射角曝光蚀刻图案化特征离子处理离子撞击撞击表面不带电垂线对层非零射出沉积

[发明专利]用于光导的光转向特征图案-CN201280018006.0无效
发明人：王莱;马雷克·米恩克;约恩·比塔 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明提供用于通过使用光导分布光来提供照明且用于确定所述光导中的光转向特征之间的间隔的系统、方法及设备。在一个方面中，确定沿第一轴线的光强度分布，且基于此分布而变化光转向特征沿彼第一轴线的间距，同时使沿第二相交轴线(例如，正交轴线)的间距及所述光转向特征的大小保持不变。在一些实施方案中，一种设备包含光导，所述光导具有经配置以使来自至少一个光发射器的光转向的光转向特征阵列。所述光转向特征可沿第一轴线非均匀地间隔开，使得间距非单调地变化，且沿与所述第一轴线相交的第二轴线，所述光转向特征以实质上相同的进展量间隔开。
用于转向特征图案

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